崗位職責(zé):
1. 熟悉III-V族化合物半導(dǎo)體GaAs/InP材料特性,負(fù)責(zé)后段鍵合/減薄/拋光工藝調(diào)試及良率提升;
2. 負(fù)責(zé)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中工藝技術(shù)支持及新工藝的導(dǎo)入;
3. 負(fù)責(zé)進(jìn)行本工序工藝優(yōu)化及異常工藝處理;
4. 建立相關(guān)的作業(yè)指導(dǎo)書(shū)與技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)文件,對(duì)現(xiàn)場(chǎng)操作人員進(jìn)行相關(guān)的操作培訓(xùn)。
任職資格:
1. 本科及以上學(xué)歷,專業(yè)方向(微電子、材料、化學(xué)、半導(dǎo)體物理、光電等專業(yè));
2. 具備半導(dǎo)體管芯后段減薄、拋光、鍵合/解鍵合、AOI等相關(guān)經(jīng)驗(yàn);
3. 擁有3年及以上化合物半導(dǎo)體芯片后段薄片工藝經(jīng)驗(yàn),熟悉GaAs、GaN等化合物后段工藝;
4. 工作負(fù)責(zé)認(rèn)真,執(zhí)行力強(qiáng),有良好的邏輯思維能力以及問(wèn)題分析和解決能力,能獨(dú)立開(kāi)展新工藝研發(fā)和驗(yàn)證工作。