“自旋芯片與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”于2022年12月獲科技部批準(zhǔn)建設(shè)，是一家由央企牽頭成立的國(guó)家級(jí)領(lǐng)軍研發(fā)平臺(tái)。

實(shí)驗(yàn)室以解決國(guó)家在集成電路領(lǐng)域重大科技問(wèn)題為使命任務(wù)，聚焦自旋存儲(chǔ)和自旋存算兩大領(lǐng)域，發(fā)揮行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)的引領(lǐng)和匯聚作用，解決集成電路未來(lái)發(fā)展面臨的瓶頸，搶占集成電路新賽道制高點(diǎn)。

實(shí)驗(yàn)室依托12吋28納米工藝節(jié)點(diǎn)自旋芯片技術(shù)研發(fā)中試平臺(tái)，聚焦高效率自旋量子態(tài)調(diào)控、新型自旋存儲(chǔ)芯片技術(shù)、自旋存算芯片技術(shù)三大重點(diǎn)任務(wù)，攻關(guān)自旋芯片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域當(dāng)前核心挑戰(zhàn)和未來(lái)技術(shù)更新?lián)Q代中前瞻性、先導(dǎo)性、探索性的技術(shù)。

專業(yè)技能方向：微電子、材料、物理等相關(guān)專業(yè)；

任職要求：

1. 博士及以上學(xué)歷，具有2年以上MRAM薄膜材料研發(fā)經(jīng)驗(yàn)；

2. 熟練使用磁控濺射等薄膜沉積設(shè)備、光刻、激光直寫(xiě)以及IBE、RIE等刻蝕設(shè)備，熟悉VSM、MOKE等磁性材料性能表征手段及分析；

3. 熟悉XRD、TEM、EDS、AFM等材料表征手段及分析；

4. 熟練使用器件與工藝仿真軟件者優(yōu)先；

5. 創(chuàng)新能力和動(dòng)手能力強(qiáng)，并具有較強(qiáng)的數(shù)據(jù)處理、分析能力，具備良好的英文閱讀及寫(xiě)作能力；

為人正直誠(chéng)實(shí)，品行端正，工作態(tài)度認(rèn)真，有較強(qiáng)的溝通協(xié)作能力、團(tuán)隊(duì)意識(shí)和執(zhí)行力。