崗位職責：
1、開發(fā)和優(yōu)化HBT結構及pHEMT結構的外延工藝：
2、設計實驗方案，評估新的外延工藝和結構；
3、優(yōu)化生長參數(shù)，提高外延層的均勻性和再現(xiàn)性;
4、分析和解決與外延相關的良率問題;
5、進行缺陷分析，找出根本原因并制定改進措施;
6、持續(xù)優(yōu)化工藝，提高產品良率和一致性，滿足射頻指標要求;
7、為工藝整合工程師提供外延相關的專業(yè)知識和技術支持;
8、參與工藝整合討論，提供外延相關的專業(yè)意見;
9、協(xié)助解決與外延相關的跨模塊工藝問題;
10、編寫和維護外延工藝文檔，包括工藝流程和質量控制標準;
11、與設備工程師密切合作，提供工藝需求和反饋;
12、協(xié)助設備工程師進行工藝相關的設備調試和優(yōu)化;
13、參與新設備的評估和工藝驗證;
任職資格：
1、本科及以上學歷，材料科學、機械工程或相關專業(yè)背景 ；
2、3-5年半導體制造業(yè)后段工藝相關工作經(jīng)驗，其中至少2年砷化鎵射頻器件工藝經(jīng)驗；
3、深入了解半導體后段工藝原理和技術 ，熟悉研磨、減薄、鍵合等工藝設備的；
4、了解砷化鎵射頻器件的工作原理和性能要求 ，熟悉常見的材料分析和表征技術 ；
5、具備基本的統(tǒng)計分析和實驗設計知識。