安徽格恩半導(dǎo)體有限公司于2021年8月落戶六安市金安經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū),總投資額20億元,2022年6月建成投產(chǎn)。2023年在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了氮化鎵激光芯片規(guī)模量產(chǎn),打破了該類芯片被國(guó)外企業(yè)長(zhǎng)期壟斷的局面,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)空白。 格恩半導(dǎo)體聚焦于化合物半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域,專注于高性能、高功率、高可靠性半導(dǎo)體光電芯片核心技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,現(xiàn)已申請(qǐng)專利400余項(xiàng),其中發(fā)明專利占比90%以上。公司產(chǎn)品在激光加工、激光醫(yī)療、激光顯示、車載照明、通訊傳感等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。